主要內(nèi)容如下:
1、晶體結(jié)構(gòu)周期性、對(duì)稱性、布拉伐格子、倒格子、晶向及其標(biāo)志、晶面及其標(biāo)志、常見晶體的晶體結(jié)構(gòu)。
2、固體結(jié)合力的一般性質(zhì)、離子性結(jié)合、共價(jià)鍵結(jié)合、金屬性結(jié)合、范德瓦爾斯結(jié)合
3、一維單原子鏈振動(dòng)、一維雙原子鏈振動(dòng)、玻恩/卡門邊界條件、布里淵區(qū)、格波、聲子概念、晶格中的缺陷和雜質(zhì)。
4、布洛赫定理、布里淵區(qū)、近自由電子近似、緊束縛近似、晶體能帶對(duì)稱性、能態(tài)密度、費(fèi)米面、價(jià)帶、導(dǎo)帶、禁帶、載流子。
5、晶體中電子在外力作用下狀態(tài)的變化、準(zhǔn)動(dòng)量、加速度和有效質(zhì)量
6、恒定電場(chǎng)、磁場(chǎng)作用下,晶體中電子的運(yùn)動(dòng)。
7、導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的能帶理論解釋。
8、費(fèi)米統(tǒng)計(jì)、費(fèi)米分布函數(shù)、功函數(shù)、接觸電勢(shì)。
9、半導(dǎo)體的基本能帶結(jié)構(gòu)、帶邊有效質(zhì)量、雜質(zhì)、雜質(zhì)能級(jí)、雜質(zhì)補(bǔ)償效應(yīng)和自補(bǔ)償效應(yīng)。
10、半導(dǎo)體中載流子的狀態(tài)密度、導(dǎo)帶電子密度、價(jià)帶空穴密度、本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體和簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。
11、半導(dǎo)體中的載流子散射、電導(dǎo)現(xiàn)象和霍耳效應(yīng)。
12、半導(dǎo)體中非平衡載流子的產(chǎn)生和復(fù)合、載流子的連續(xù)性方程、非平衡載流子的連續(xù)性方程、非平衡載流子的擴(kuò)散與漂移。
13、 半導(dǎo)體中金屬/半導(dǎo)體接觸的整流現(xiàn)象、pn結(jié)及其整流現(xiàn)象、異質(zhì)結(jié)。
半導(dǎo)體表面態(tài)與表面空間電荷區(qū)、表面場(chǎng)效應(yīng)現(xiàn)象和MIS結(jié)構(gòu)、MOS的電容/電壓特性、金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)差及氧化物中電荷對(duì)MOS電容/電壓特性影響。
參考書目:
1、《半導(dǎo)體物理》(第七版)劉恩科、朱秉升、羅晉生編著,電子工業(yè)出版社,ISBN:978-7-121-06366-4;
2、《固體物理學(xué)》黃昆原著,韓汝琦改編,高等教育出版社,ISBN:9787040010251。
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