來源:在職研究生招生信息網(wǎng) 發(fā)布時間:2024-02-07 09:47:35
考試主要內(nèi)容及要求:
一、材料的鍵合方式
熟悉原子結(jié)構(gòu)及鍵合類型,掌握金屬鍵、離子鍵、共價鍵、范德華力和氫鍵的結(jié)構(gòu)特征及其對材料性能的影響。
二、晶體學(xué)基礎(chǔ)
?。?)理解空間點陣的概念,掌握晶體與非晶體、晶體結(jié)構(gòu)與空間點陣的差異。
?。?)掌握晶面指數(shù)和晶向指數(shù)的標(biāo)注方法和畫法、立方晶系晶面與晶向平行或垂直的判斷、立方晶系晶面族和晶向族的展開。
?。?)掌握三種典型金屬晶體結(jié)構(gòu)面心立方、體心立方、密排六方晶胞中原子數(shù)、配位數(shù)、致密度的計算方法,理解面心立方和密排六方的堆垛方式的描述及它們之間的差異。
?。?)了解晶體的對稱性。
三、固體材料的結(jié)構(gòu)
?。?)掌握固溶體的分類、結(jié)構(gòu)特點及其影響固溶體固溶度的因素。
(2)掌握中間相的分類及其結(jié)構(gòu)特點,理解超結(jié)構(gòu)的類型及影響有序化的因素。
?。?)了解離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則,了解NaCl型、A2B2型和硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)特點,了解金剛石型共價晶體結(jié)構(gòu)特點,了解聚合物結(jié)構(gòu)特點,了解非晶態(tài)結(jié)構(gòu)及其性能與晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)別。
四、晶體中的缺陷
?。?)掌握點缺陷的形成與平衡濃度,掌握點缺陷對晶體性能的影響及其應(yīng)用。
?。?)掌握位錯的基本類型和特征,掌握柏氏矢量的物理意義及其特性,掌握位錯運動的兩種基本形式:滑移和攀移的特點。理解作用于位錯的組態(tài)力、位錯的線張力、外加切應(yīng)力、位錯附近原子實際所受的力、以及位錯間的交互作用力相互之間的關(guān)系與區(qū)別,掌握位錯的增值機制,掌握位錯反應(yīng)的判斷。了解運動位錯的交割及其所形成的扭折或割階不同情況,了解弗蘭克不全位錯和肖克萊不全位錯的形成。
(3)理解小角度和大角度晶界模型,理解晶界能與晶界特性,掌握相界結(jié)構(gòu)特點,了解孿晶界。
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40004-98986
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