2024年遼寧大學(xué)非全日制研究生招生考試《微電子學(xué)基礎(chǔ)》考試大綱

　　一、總體要求

　　主要考察學(xué)生掌握“微電子器件及集成電路”的基本知識、基本理論的情況，以及用這些基本知識和基本理論分析問題和解決問題的能力。

　　二、考試內(nèi)容

　　微電子學(xué)基礎(chǔ)的考試內(nèi)容由兩部分構(gòu)成,分別為《微電子器件》和《半導(dǎo)體集成電路》的基礎(chǔ)知識，分?jǐn)?shù)所占比例相同。具體如下：

　　(一)《微電子器件》考試內(nèi)容

　　1.半導(dǎo)體器件基本方程

　　1)一維形式的半導(dǎo)體器件基本方程

　　2)基本方程的主要簡化形式

　　2.PN結(jié)

　　1)突變結(jié)與線性緩變結(jié)的定義

　　2)PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成

　　3)耗盡近似與中性近似

　　4)耗盡區(qū)寬度、內(nèi)建電場與內(nèi)建電勢的計算

　　5)正向及反向電壓下PN結(jié)中的載流子運(yùn)動情況

　　6)PN結(jié)的能帶圖

　　7)PN結(jié)的少子分布圖

　　8)PN結(jié)的直流伏安特性

　　9)PN結(jié)反向飽和電流的計算及影響因素

　　10)薄基區(qū)二極管的特點(diǎn)

　　11)大注入效應(yīng)

　　12)PN結(jié)雪崩擊穿的機(jī)理、雪崩擊穿電壓的計算及影響因素、齊納擊穿的機(jī)理及特點(diǎn)、熱擊穿的機(jī)理

　　13)PN結(jié)勢壘電容與擴(kuò)散電容的定義、計算與特點(diǎn)

　　14)PN結(jié)的交流小信號參數(shù)與等效電路

　　15)PN結(jié)的開關(guān)特性與少子存儲效應(yīng)

　　3.雙極型晶體管

　　1)雙極型晶體管在四種工作狀態(tài)下的少子分布圖與能帶圖

　　2)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)與發(fā)射結(jié)注入效率的定義及計算

　　3)共基極與共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)的定義及計算

　　4)基區(qū)渡越時間的概念及計算

　　5)緩變基區(qū)晶體管的特點(diǎn)

　　6)小電流時電流放大系數(shù)的下降

　　7)發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)

　　8)晶體管的直流電流電壓方程、晶體管的直流輸出特性曲線圖

　　9)基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)

　　10)晶體管各種反向電流的定義與測量

　　11)晶體管各種擊穿電壓的定義與測量、基區(qū)穿通效應(yīng)

　　12)方塊電阻的概念及計算

　　13)晶體管的小信號參數(shù)

　　14)晶體管的電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系、組成晶體管信號延遲時間的四個主要時間常數(shù)、高頻晶體管特征頻率的定義、計算與測量、影響特征頻率的主要因素

　　15)高頻晶體管最大功率增益與最高振蕩頻率的定義與計算，影響功率增益的主要因素

　　4.絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)

　　1)MOSFET的類型與基本結(jié)構(gòu)

　　2)MOSFET的工作原理

　　3)MOSFET閾電壓的定義、計算與測量、影響閾電壓的各種因素、閾電壓的襯底偏置效應(yīng)

　　4)MOSFET在非飽和區(qū)的簡化的直流電流電壓方程

　　5)MOSFET的飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計算

　　6)MOSFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性(包括常見的二級效應(yīng))

　　(二)半導(dǎo)體集成電路考試內(nèi)容

　　1、常見MOS反相器(電阻、E/E飽和型、E/E非飽和型和E/DMOS)基本工作原理及其瞬態(tài)特性

　　1)常見MOS反相器的靜態(tài)特性。

　　2)常見MOS反相器的傳輸特性。

　　3)常見MOS反相器的噪聲特性.

　　4) 常見MOS反相器的瞬態(tài)特性。

　　5) 常見MOS反相器的速度功耗乘積。

　　2、CMOS反相器基本工作原理及其瞬態(tài)特性

　　1) CMOS反相器的靜態(tài)特性。

　　2) CMOS反相器的傳輸特性。

　　3) CMOS反相器的噪聲特性。

　　4) CMOS反相器閾值電平。

　　3、MOS傳輸門的基本工作原理

　　1) NMOS傳輸門傳輸過程

　　2) PMOS傳輸門傳輸過程

　　3) CMOS傳輸門傳輸過程

　　4、MOS門電路的設(shè)計

　　1) NMOS傳輸門門電路設(shè)計(與、或、與非、或非、與或非、異或、同或)

　　2) CMOS傳輸門門電路設(shè)計(與、或、與非、或非、與或非、異或、同或)

　　5、集成電路工藝流程

　　1) Bipolar IC工藝流程

　　2) CMOS IC工藝流程

　　6、模擬基本放大電路的工作原理

　　1)共射、共基、共集電放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置

　　2)共射、共基、共集電放大電路的交流小信號等效電路

　　3)共射、共基、共集電放大電路的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻的求解

　　4)基本放大電路飽和失真和截止失真產(chǎn)生的原因，如何消除基本放大電路所處失真狀態(tài)。