一、考試范圍及要點(diǎn)
1、半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài);
2、雜質(zhì)和缺陷能級;
3、載流子的統(tǒng)計(jì)分布;
4、載流子的散射及電導(dǎo)問題;
5、非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動規(guī)律;
6、半導(dǎo)體的表面和界面─包括p-n 結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、半導(dǎo)體表面及MIS 結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié);
7、半導(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導(dǎo)體部分。
二、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
1、答卷方式:閉卷,筆試
2、答卷時(shí)間:180 分鐘
3、題型:選擇題,填空題,簡答題(包含名詞解釋),論述題
4、各部分內(nèi)容比例
試卷滿分為 150 分,選擇題、填空題50 分,簡答題(包含名詞解釋)40 分,論述題60 分
參考書目名稱 作者 出版社 版次 年份
半導(dǎo)體物理學(xué) 劉恩科,朱秉升,羅晉生 電子工業(yè)出版社 2008
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